Биполярные транзисторы со статической индукцией

Рейтинг:  0 / 5

Звезда не активнаЗвезда не активнаЗвезда не активнаЗвезда не активнаЗвезда не активна
 

БСИТ (биполярный транзистор со статической индукцией, Bipolar Static Induction Transistor) - транзисторы кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом со статической индукцией. Предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и в других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовых корпусах. Номенклатура БСИТ приведена в табл.1.


На рис.1 показана цоколевка транзисторов в корпусах КТ-43-2 (TО-218) и КТ-28-2 (ТО-220), где 1 - затвор, 2 - сток, 3 -исток. На рис.2 показана цоколевка транзисторов в корпусах КТ-27-2 (ТО-126), где 1 - исток, 2 - сток, 3 - затвор. Условное обозначение БСИТ показано на рис.3.
Основные параметры БСИТ приведены в табл.2.

Особенности
Многоканальная структура, способствующая более равномерному распределению тока по кристаллу, а также уменьшению сопротивления затвора.
Самосовмещение активных и пассивных областей затвора и истока обеспечивает минимальное сопротивление затвора.
Практически обедненная область канала определяет высокий коэффициент усиления и быстродействие.

БСИТ - это транзистор со статической индукцией с нормально закрытым вертикальным каналом при нулевом смещении на затворе. Конструкция кристалла при обобщенном рассмотрении представляет собой предельный вариант обычного биполярного транзистора с обедненной базой. БСИТ работает при прямом смещении на затворе, и физика его работы близка к физике работы обычных биполярных транзисторов, однако в силу конструктивных особенностей имеет ряд преимуществ:
- низкое падение напряжения в открытом состоянии при более высоком коэффициенте усиления;
- высокое быстродействие;
- повышена устойчивость к вторичному пробою.
При использовании БСИТ в высокочастотных источниках вторичного питания и других быстродействующих схемах РЭА необходимо обращать внимание на *чистоту* монтажа с целью исключения *звона*, а также учитывать при расчетах, что БСИТ обладают более высоким коэффициентом усиления, особенно
при работе в активном режиме, что требует уменьшения тока запуска. В ключевых схемах, учитывая высокую скорость нарастания и спада тока, для управления необходимо также применять быстродействующие транзисторы (желательно БСИТ).
Кристалл транзистора за счет более высокой удельной плотности рабочего тока имеет площадь в 1,5-2 раза меньше, чем биполярный транзистор с аналогичными характеристиками, что также определяет экономическое преимущество в производстве. Перспективно дальнейшее улучшение параметров транзистора за счет использования затвора Шотки вместо диффузионного затвора.

Оставлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи

Яндекс.Метрика Рейтинг@Mail.ru Счетчик тИЦ и PR